CMOS门电路电磁信息泄漏评估

来源 :微电子学与计算机 | 被引量 : 0次 | 上传用户：baronsong2009

【摘要】

：

通过将CMOS工艺中的导线转化为电偶极子模型,提出了一种对CMOS工艺的门电路进行电磁信息泄漏评估的方法.仿真实验采用TSMC0.18μm工艺,实现了基于单轨逻辑以及SABL双轨逻辑的

【作者】

：

丁国良常小龙陈家文武翠霞

【机构】

：

军械工程学院计算机工程系,河北工业大学

【出处】

：

微电子学与计算机

【发表日期】

：

2011年5期

【关键词】

：

电磁信息泄漏差分电磁分析电偶极子模型 Electromagnetic Information Leakage（EMIL） Difference Elect

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通过将CMOS工艺中的导线转化为电偶极子模型,提出了一种对CMOS工艺的门电路进行电磁信息泄漏评估的方法.仿真实验采用TSMC0.18μm工艺,实现了基于单轨逻辑以及SABL双轨逻辑的与非门,并用提出的评估方法对门电路的电磁信息泄漏进行评估.仿真结果表明,该评估方法能够对CMOS门电路的电磁信息泄漏程度进行量化评估,同时还表明了双轨门电路电磁信息泄漏弱于单轨门电路.

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