β-SiC的静态性质和能带结构

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户:fei5301821
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在从头计算的LMTO—ASA方法中引用Lowdin微扰法,计算了β-SiC晶体的总能E_(tot),平衡晶格常数α_0,体模量B_0,体模量的压力微商B_0~’和能带结构,计算结果与从头计算的赝势法等的计算结果基本相符,与实验值的偏差合理,但计算量小,进一步证明利用微扰计入空d态影响的LMTO—ASA方法是行之有效的方法。 The Lowdin perturbation method is referenced in the LMTO-ASA method of ab initio calculation, and the total energy E tot of the β-SiC crystal, the equilibrium lattice constant α_0, the bulk modulus B_0, the bulk modulus pressure derivative B_0 ~ And the energy band structure. The calculated results are in good agreement with the ab initio calculations and the reasonable deviation from the experimental values, but the calculation is small. The LMTO-ASA method is further proved to be the effect of the perturbation into the empty d state Effective method.
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