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本文研究了Ｐ／ｎ－Ｉｎｐ肖特基二极管在氢，氧气氛下的Ｉ－Ｖ，Ｃ－Ｖ以及复阻抗谱特性，测试结果表明：在氢气氛下势垒高度降低，在氢气氛下势垒高度增加，对二者均有良好的敏感特性。
Pt／InP肖特基二极管气敏特性的研究
【摘 要】
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本文研究了Ｐ／ｎ－Ｉｎｐ肖特基二极管在氢，氧气氛下的Ｉ－Ｖ，Ｃ－Ｖ以及复阻抗谱特性，测试结果表明：在氢气氛下势垒高度降低，在氢气氛下势垒高度增加，对二者均有良好的敏感特性。
【机 构】
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西安理工大学微电子技术教研室
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1996年7期
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