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本文报道采用选择性掺杂的多晶硅热退火掩膜作扩散源进行的ＧａＡｓ中Ｓｉ扩散机制的研究结果。
GaAs中Si扩散机制的研究
【摘 要】
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本文报道采用选择性掺杂的多晶硅热退火掩膜作扩散源进行的ＧａＡｓ中Ｓｉ扩散机制的研究结果。
【机 构】
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南京化工大学基础科学系,南京大学物理系
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1996年12期
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