中芯国际采用ARM物理IP流片90纳米低功耗设计

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中芯国际和ARM日前宣布,中芯国际采用ARM(r) Artisan(r)物理IP系列产品中的ARM Metro(tm)低功耗/高密度产品和Advantage(tm)高性能产品,用于90nm LL(低渗漏)和G(主流)处理工艺。ARM称,2006年第四季度,客户可通过ARM网站免费获取用于中芯国际90nm工艺的ARM物理IP。 SMIC and ARM have announced that SMIC has adopted ARM Metro (tm) low power / high density and Advantage (tm) high performance products from the ARM (r) Artisan (r) physical IP family for 90nm LL (low leakage) and G (mainstream) treatment process. ARM said in the fourth quarter of 2006, customers will be able to access ARM physical IP for SMIC’s 90nm process for free through the ARM Web site.
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