ZnO/Zn2SnO4纳米电缆结构表征与发光特性

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ZnO、Zn2SnO4均为直接带隙宽禁带氧化物半导体,是优异的功能材料.以ZnO、SnO2为原料,通过共热蒸发法,合成了ZnO/Zn2SnO4纳米电缆结构.该纳米电缆结构为以ZnO为芯,Zn2SnO4为鞘,直径为50~100nm,长度可达上百微米.通过TEM分析手段,发现该纳米电缆结构中,ZnO的生长方向为〈0001〉方向,ZnO芯与Zn2SnO4鞘之间形成晶格外延关系.室温下光致发光谱结果显示,该纳米电缆结构在紫外区域(380.58nm附近处)存在很强的带边发光,而在可见光区域没有明显的发光带,这一结果
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