晶态氮化碳薄膜的低温合成

来源 :无机化学学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:Joetty
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0引言C3N4晶体自从Liu和Cohen在理论上对其结构和性能进行预言后[1],由于其卓越的物理性能可以与金刚石相比而引起人们对该晶体的理论计算和实验合成的广泛兴趣[2~5]。目前合成氮化碳薄膜的实验方法主要有激光烧蚀石墨靶[6]、反应溅射[7,8]、等离子体化学气相沉积[9]和离子注入[10]等。在这些制备研究中,基片温度在500~1000℃之间,沉积的薄膜多为非晶CN薄膜,或由X射线衍射(XRD)或透射电镜(TEM)证实其中含有少量的α鄄C3N4或β鄄C3N4微晶。研究表明在沉积物中存在较高的N/C原
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