【摘 要】
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用原子力显微镜(AFM)和X射线光电子能谱(XPS)研究了真空蒸镀聚乙烯咔唑(PVK)薄膜的表面形貌和PVK/铟锡氧化物(ITO)界面电子状态.结果表明,PVK分子虽然体积较大,但分布较均匀.
【机 构】
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兰州大学物理科学与技术学说,甘肃联合大学理工学院
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用原子力显微镜(AFM)和X射线光电子能谱(XPS)研究了真空蒸镀聚乙烯咔唑(PVK)薄膜的表面形貌和PVK/铟锡氧化物(ITO)界面电子状态.结果表明,PVK分子虽然体积较大,但分布较均匀.XPS数据显示,在界面处PVK分子骨架和SnO2分子结构几乎没有发生变化,但PVK分子的侧基和In2O3分子结构发生了变化,因为界面处存在大量的,不能用制备过程的空气污染来解释的C-O键;在界面处,In2O3分子部分分解,所产生O原子替代PVK侧基上的H原子而形成C-O键;所产生的In原子则扩散至PVK内部.
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