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通过计算机产生一定脉冲重复频率的窄脉冲来测试ＧａＡｓ，ＦＥＴ或ＰＨＥＭＴ的Ｉ－Ｖ特性，能大大克服了器件在直流状态下的热效应和电子陷阱效应，对器件大信号建模和器件机理分析具有重要意义，着重论述了测试仪的硬件，软件设计和实际使用效果。
大信号参数测试仪设计技术
【摘 要】
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通过计算机产生一定脉冲重复频率的窄脉冲来测试ＧａＡｓ，ＦＥＴ或ＰＨＥＭＴ的Ｉ－Ｖ特性，能大大克服了器件在直流状态下的热效应和电子陷阱效应，对器件大信号建模和器件机理分析具有重要意义，着重论述了测试仪
【机 构】
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电子部第十三研究所
【出 处】
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半导体技术
【发表日期】
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1998年5期
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