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对静电感应器件的栅源击穿特性做了实验研究.结果表明:当使用高阻单晶材料(ND=1×1014cm-3)作为芯片的衬底和沟道,沟道的半宽度小于零栅压耗尽层宽度且源区外延层掺杂浓度较高(Nepi＞1×1016cm-3)时,器件的击穿电压BVgs0基本上局限在10V以下,与外延层的厚度没有明显关系.作者指出,静电感应器件栅源击穿的特点是由于沟道宽度较窄和源区与沟道区掺杂浓度差异较大两方面的因素共同决定的.在这种情况下,栅源击穿电压BVgs0与半导体的击穿电场Eb和沟道宽度W的关系可表示为BVgs0=1/2EbW.提高BVgd0的有效途径应是尽可能地使外延层的掺杂浓度和沟道(衬底)的掺杂浓度相接近.