【摘 要】
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在分析(111)Si基应变材料[应变Si/(111)Si1-xGex、应变Si1-xGex/(111)si]能带结构的基础上,获得了其态密度有效质量与应力及温度的理论关系,并在此基础上,进一步建立了300 K
【机 构】
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辽宁工程技术大学电子与信息工程学院,西安电子科技大学微电子学院
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在分析(111)Si基应变材料[应变Si/(111)Si1-xGex、应变Si1-xGex/(111)si]能带结构的基础上,获得了其态密度有效质量与应力及温度的理论关系,并在此基础上,进一步建立了300 K时(111) Si基应变材料与应力相关的本征载流子浓度模型.结果表明:应变Si/(111)Si1-xGex材料本征载流子浓度随着应力的增加略有增大,而应变Si1-xGex/(111)Si材料本征载流子浓度几乎不随应力改变.
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