微波MESFETs中金属—GaAs相互作用及接触退化（续）

来源 :电子产品可靠性与环境试验 | 被引量 : 0次 | 上传用户：lialiaoliao

【摘要】

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4 欧姆接触的退化源和漏欧姆接触电阻直接影响着寄生串联电阻Rs和Rd,并由此而影响器件的特征参数如Idss,gm,Po,N<

【作者】

：

ENRICO ZANONI ALESSANDRO CALLE

【机构】

：

北京工业大学Italy,U.S.A,100022

【出处】

：

电子产品可靠性与环境试验

【发表日期】

：

1995年6期

【关键词】

：

砷化镓 MESFETS 接触退化

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4 欧姆接触的退化源和漏欧姆接触电阻直接影响着寄生串联电阻Rs和Rd,并由此而影响器件的特征参数如Idss,gm,Po,NF等。 GaAs上的欧姆接触最常采用的是Au-Ge-Ni合金系统,因为它能提供高频、大功率应用所需的低接触电阻

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