MESFETS相关论文
在位错密度不同的LEC半绝缘（SI）GaAs衬底上离子注入制做MESFETs，观察衬底位错对MESFETs旁栅效应的影响．结果表明，衬底中高位错密度可以......
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使用(NH4)2Sx溶液对GaAs MESFETs进行处理.处理后,器件各栅偏压下的源漏饱和电流降低了,栅漏击穿电压有了显著提高.我们认为负电荷......
硫钝化可以明显改善GaAs金属半导体场效应晶体管(MESFETs)的击穿特性,但钝化效果不稳定.我们利用硫钝化和PECVD SiNx钝化相结合的......
优化双沟4H—SiCMESFET结构，通过求解一维和二维泊松方程，建立优化结构的解析模型，分析这种结构的直流和交流特性．结果表明，饱和电流密......
优化双沟4H—SiCMESFET结构，通过求解一维和二维泊松方程，建立优化结构的解析模型，分析这种结构的直流和交流特性．结果表明，饱和电流密......
在位错密度不同的ＬＥＣ半绝缘（ＳＩ）ＧａＡｓ衬底上离子注入制做ＭＥＳＦＥＴｓ，观察衬度位错对ＭＥＳＦＥＴｓ旁栅效应的影响，结果表明，衬底中高位错密度可以抑制旁栅效应。......
4 欧姆接触的退化 源和漏欧姆接触电阻直接影响着寄生串联电阻R<sub>s</sub>和R<sub>d</sub>,并由此而影响器件的特征参数如I<sub>......
