【摘 要】
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迄今为止压电型传感器是用水晶SIOZ材料制成的。采用水晶材料虽可实现小型化，但温度特性差，一旦膜片表面温度超过350℃就会引起压电晶体的灵敏度常数下降，当温度连续超过400℃时
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迄今为止压电型传感器是用水晶SIOZ材料制成的。采用水晶材料虽可实现小型化，但温度特性差，一旦膜片表面温度超过350℃就会引起压电晶体的灵敏度常数下降，当温度连续超过400℃时传感器就破坏。AVL公司新开发的用磷酸镇（GaPO4）材料制成的压电传感器克服了普通水晶SIQ传感器
Piezoelectric sensors have so far been made of crystal SIOZ material. Though crystal materials can be miniaturized, the temperature characteristics are poor. Once the surface temperature of the diaphragm exceeds 350 ° C, the sensitivity constant of the piezoelectric crystal decreases. When the temperature continuously exceeds 400 ° C, the sensor is destroyed. AVL’s newly developed piezoelectric sensor made of phosphoric acid (GaPO4) material overcomes the common crystal SIQ sensor
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