论文部分内容阅读
采用磁控溅射方法制备碳纳米管SnO2薄膜,通过分析不同工艺条件下制备的气敏元件在NO2气氛中的灵敏度响应特性,以及比较不同的薄膜厚度的气敏元件的性能特性,来研究磁控溅射工艺条件的改变对碳纳米管SnO2气敏元件的性能的影响。实验表明：磁控溅射的工艺条件对气敏元件的性能有很大的影响,射频反应溅射碳纳米管SnO2气敏元件有较好的性能,最佳的气敏元件薄膜厚度在30nm左右。