A 357.9 nm GaN/AIGaN multiple quantum well ultraviolet laser diode

来源 :半导体学报(英文版) | 被引量 : 0次 | 上传用户:allanvte001
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Ultraviolet (UV) and deep-UV light emitters are prom-ising for various applications including bioagent detection,wa-ter and air purification,dermatology,high-density optical stor-age,and lithography.
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硅基光电子芯片的端面耦合器具有大带宽、低损耗、偏振不敏感等优点,使人们希望在端面封装方面获得突破.提出了一种用于硅基光电子芯片端面封装的深硅刻蚀工艺,利用等离子体刻蚀形成的斜面与光纤阵列的封装面进行匹配封装,降低封装中的耦合反射;利用斜面刻蚀工艺和深硅刻蚀工艺相结合的方法制备深硅刻蚀槽,提高了晶圆划片的冗余度,通过控制深硅刻蚀槽内的划片位置来消除台阶凸起对光纤封装造成的不利影响,使在后续封装过程中无需对芯片端面台阶凸起实施磨抛工艺.实验结果显示,基于该工艺,端面耦合器损耗劣化小于0.1 dB.该封装结构可
基于硅通孔(TSV)技术,可以实现微米级三维无源电感的片上集成,可应用于微波/射频电路及系统的微型化、一体化三维集成.考虑到三维集成电路及系统中复杂、高密度的电磁环境,在TSV电感的设计和使用中,必须对其电路性能及各项参数指标进行精确评估及建模.采用解析方法对电感进行等效电路构建和寄生参数建模,并通过流片测试对模型进行了验证.结果 表明,模型的S参数结果与三维仿真结果吻合良好,证实了等效电路构建的精确性.采用所建立的等效电路模型可以提高TSV电感的设计精度和仿真效率,解决微波电路设计及三维电磁场仿真过程中
在集成电路制造中,湿法清洗工艺中铝金属腐蚀是一种致命缺陷,它的出现将引发产品的可靠性问题.通过控制清洗过程中的工艺参数,增加起侧壁保护作用的铝金属氧化层的厚度,从而抑制铝金属腐蚀缺陷的产生.随着清洗溶液温度的降低,晶圆清洗后6h铝金属腐蚀缺陷数量明显减少;随着H2SO4标称质量分数由80%增加到105%,铝金属腐蚀缺陷数量减少;而H2SO4标称质量分数继续增加到115%时,铝金属腐蚀缺陷数量却增加.清洗溶液温度和H2SO4质量分数实验结果表明,更低的温度以及一定范围内的高H2SO4质量分数有利于促进铝金属
针对太赫兹GaAs肖特基二极管倍频器芯片散热能力差导致输出功率低的问题,开展了GaAs/AlN异构集成太赫兹倍频器芯片研究.通过稳态热仿真发现,将肖特基二极管芯片衬底由GaAs替换为热导率更高的AlN可以降低结温.对芯片衬底替换工艺开展了研究,获得了GaAs/AlN异构集成太赫兹二极管.分别对基于GaAs衬底二极管和基于GaAs/AlN异构集成二极管的162 GHz倍频器开展功率性能测试对比.测试结果表明:装配GaAs衬底二极管的倍频器输入功率为200 mW时,输出功率最高为43.6 mW;而装配GaAs
Organic-inorganic halide perovskite solar cells (PSCs)have delivered power conversion efficiency (PCE) on par with that of crystalline silicon solar cells,due to the considerable ef-fort on the optimization of perovskite materials and devices[1].
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绝缘栅双极型晶体管(IGBT)芯片的静态输出曲线是考核其能量损耗及指导多芯片并联设计的重要指标之一.现有测量IGBT静态输出曲线的方法多采用商用化的功率器件分析仪,然而商业化功率器件分析仪存在价格昂贵、夹具单一的问题.亟需开发一种简单、快速、有效的静态输出曲线测量方法.面向高压IGBT芯片,提出一种新的静态输出曲线连续测量方法及测试电路,有效减小了IGBT芯片的电导调制效应和温升效应对静态输出曲线的影响.通过实时测量动态过程中的电压及电流,可以快速得到IGBT芯片静态输出曲线.通过对比本文连续法与功率器件
The past decade has witnessed the rapid advance in organ-ic-inorganic hybrid perovskite solar cells (PSCs).Owing to unique optoelectronic properties of perovskites,the power conversion efficiency (PCE) of PSCs has jumped from 3.8% to 25.5%[1-4].
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基于180 nm BCD工艺平台设计开发了32 Kibit的多次可编程(MTP)非易失性存储器(NVM).详细描述了存储单元的结构设计特点、操作机理及影响非易失性的关键因素.测试并量化了其在高温条件下的数据保持能力,并根据Arrhenius模型设计了高温老化试验,进而计算其浮栅上电荷泄漏的激活能.经过104次重复编程和擦除循环后,MTP NVM样品的高温数据保持(HTDR)能力验证结果表明该MTP NVM产品具有很好的可靠性.通过高温老化加速试验,计算出分别在100、125和150℃条件下样品的数据保持时
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Optical switching is a fundamental element in all-optical integrated circuits and networks with ultrahigh speed and low energy consumption compared to their electronic counter-parts.
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