【摘 要】
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基于F离子注入隔离技术实现一种新型微缩化发光二极管(micromicro-LED)阵列器件,并系统研究注入能量及发光孔径对micro-LED阵列器光电性能的影响.研究结果表明:相比于F离子50
【机 构】
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长春理工大学光电工程学院,中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,南京大学扬州光电研究院
【基金项目】
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吉林省重大科技招标专项(批准号:20170203014G),国家自然科学基金(批准号:U1830112,61774014),江苏省博士后科研资助计划(批准号:2018K008C),苏州市重点产业技术创新项目(批准号:SYG201928)资助的课题.
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基于F离子注入隔离技术实现一种新型微缩化发光二极管(micromicro-LED)阵列器件,并系统研究注入能量及发光孔径对micro-LED阵列器光电性能的影响.研究结果表明:相比于F离子50 ke V单次注入器件, 50/100 ke V两次注入器件具有更好的光电性能,器件反向漏电降低8.4倍,光输出功率密度提升1.3倍.同时,在不同的发光孔径(6, 8, 10μm)条件下,器件反向漏电流均为3.4×10–8 A,但正向工作电压随孔径增大而减小,分别为3.3, 3.1, 2.9 V.此外,器件
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