【摘 要】
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为了揭示自间隙硅原子相对浓度和间隙氧原子相对浓度的初始分布状态对低温退火期间硅晶圆内V-O2对介观演变的影响,应用原有相场仿真模型及其改进模型,仿真了两个不同的点缺陷相对浓度初始分布状态下退火的硅晶圆内V-O2对演变过程.结果表明:在文章的仿真条件下,均匀分布的硅原子相对浓度未影响V-O2对演变,这与不考虑硅原子存在的情况相同;与均匀分布状态相比,初始的氧原子相对浓度随机均匀分布状态使得V-O2对生成速度减慢.
【机 构】
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山东大学 材料科学与工程学院,山东 济南 250061;Outpie Partners B .V .,荷兰 埃因霍温 高科技园区 5656AE
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为了揭示自间隙硅原子相对浓度和间隙氧原子相对浓度的初始分布状态对低温退火期间硅晶圆内V-O2对介观演变的影响,应用原有相场仿真模型及其改进模型,仿真了两个不同的点缺陷相对浓度初始分布状态下退火的硅晶圆内V-O2对演变过程.结果表明:在文章的仿真条件下,均匀分布的硅原子相对浓度未影响V-O2对演变,这与不考虑硅原子存在的情况相同;与均匀分布状态相比,初始的氧原子相对浓度随机均匀分布状态使得V-O2对生成速度减慢.
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