退火对Ar^＋激光再结晶多晶硅／二氧化硅界面性质的影响

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：zhouyi_love

【摘要】

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本文对CW Ar+激光再结晶SOI结构材料进行了氢等离子体退火和CW CO2激光退少.结果表明,两种退火方法都可以明显地降低背界面的界面态陷阱密度.氢等离子

【作者】

：

陈坚黄信凡

【机构】

：

南京大学物理系,南京大学物理系

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

1989年3期

【关键词】

：

薄膜激光加工半导体界面结晶 Films Laser Processing Semiconductor-Insulator Interface Int

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本文对CW Ar+激光再结晶SOI结构材料进行了氢等离子体退火和CW CO2激光退少.结果表明,两种退火方法都可以明显地降低背界面的界面态陷阱密度.氢等离子体处理对晶粒间界引入的界面态退火效果更显著,而CO2激光辐照对应力引入的界面态退火作用更明显.

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