【摘 要】
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采用平面选择注入隔离工艺制作MESFET及旁栅电极,通过改变半导体特性测试仪的延迟时间参数,深入研究了不同沟道电流的数据采集时间对旁栅效应迟滞现象的影响.发现当延迟时间
【机 构】
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合肥工业大学应用物理系,,中国科学院上海冶金研究所,
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采用平面选择注入隔离工艺制作MESFET及旁栅电极,通过改变半导体特性测试仪的延迟时间参数,深入研究了不同沟道电流的数据采集时间对旁栅效应迟滞现象的影响.发现当延迟时间超过2s时,迟滞现象基本消失,旁栅效应达到稳态,而且准静态地改变旁栅电压,沟道电流的变化会达到一稳定值,与过程无关,于是可以避免迟滞现象.并从理论上解释了所发现的现象.
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