HEMT集成电路基础研究

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本文介绍了高电子迁移率晶体管(HEMT),赝高电子迁移率晶体管(PHEMT)和用它们做的直接耦合场效应逻辑电路(DCFL)的结构、设计和制造。由11级环形振荡器测得在室温下的最小传播延迟时间是69~78ps/门,相应功耗0.8~0.3mW/门。
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