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采用室温Raman散射和低温光致发光(PL)谱,对以TMG,固体As和固体In作为分子束源的MOMBE法生长的GaAs/InxGa1-xAs(x=0.3)单层异质结构和多量子阱结构中InGaAs应变层的界厚度进行了实验研究。由应变引起的Raman散射峰位移,以及PL谱峰位置与应变和无应变状态下一维有限深热阱跃迁能量计算的比较可见,在In组分含量X=0.3的情况下,临界厚度hc≤5nm,小于能量平衡