本发明提供一种可扩大光谱范围的红外探测器．该探测器有两个衬底，第一个衬底由磷化铟制成，它上面有一层砷镓铟膜层．第二个衬底由硅制成......

采用室温Ｒａｍａｎ散射和低温光致发光（ＰＬ）谱，对以ＴＭＧ，固体Ａｓ和固体Ｉｎ作为分子束源的ＭＯＭＢＥ法生长的ＧａＡｓ／ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ（ｘ＝０．３）单层异质结构和多量子阱结构中ＩｎＧａＡｓ应变层的界厚度进行了实验研究......

用光荧光谱和二次离子质谱的方法，研究了由Si3N4电介质薄膜引起的无杂质空位诱导InGaAs/InP多量子阱结构的带隙蓝移。实验中选用Si3......