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通过射频磁控溅射的方法,分别在NaCl和Si基片上制备厚度约为10nm的ZnO薄膜,通过SEM、TEM等测试手段分析了薄膜的表面状况,结果显示,在两种基片上沉积的薄膜都呈现分形生长的形貌.通过对两种基片上生长的薄膜进行比较,分别计算了这两种薄膜的分形维数.在Al2O3上制备了厚度约为300nm的ZnO薄膜,通过在不同温度下对样品进行退火处理,并利用XRD、PL测试手段研究了退火处理对薄膜结构和光致发光性质的影响.结果表明,随着退火温度升高,薄膜的晶体结构逐渐变好,发光峰位也随着退火温度发生偏移.