用氢化物气相外延（HVPE）法生长的氮化铟薄膜的性质研究

来源 :高技术通讯 | 被引量 : 0次 | 上传用户：yyttuuabc

【摘要】

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在自制设备上用氢化物气相外延（HVPE）方法在α-Al2O3以及GaN/α-Al2O3衬底上生长了InN薄膜,并对其性质进行了研究.重点研究了生长温度的变化对所获得的InN薄膜的影响,并利用X射

【作者】

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俞慧强修向前张荣华雪梅谢自力刘斌陈鹏韩平施毅

【机构】

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南京大学现代分析中心,江苏省光电信息功能材料重点实验室

【出处】

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高技术通讯

【发表日期】

：

2014年9期

【关键词】

：

氮化铟(InN) 薄膜氢化物气相外延(HVPE) InN films hydride vapor phase epitaxy （HVPE）

【基金项目】

：

973计划（2011CB301900,2012CB619304,2010CB327504）,863计划（2014AA032605）,国家自然科学基金（60990311,61274003,60936004,61176063）和江苏省自然科学基金（BK2011010）资助项目.

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在自制设备上用氢化物气相外延（HVPE）方法在α-Al2O3以及GaN/α-Al2O3衬底上生长了InN薄膜,并对其性质进行了研究.重点研究了生长温度的变化对所获得的InN薄膜的影响,并利用X射线衍射研究了InN薄膜的结构,用扫描电子显微镜研究了其表面性质,用霍尔测量研究了其电学性质.X射线衍射的结果表明,直接在α-Al2O3上生长得到的是InN多晶薄膜;而在GaN/α-Al2O3上得到的InN薄膜都只有（0002）取向,并且没有金属In或是In相关的团簇存在.综合分析可以发现,在650℃时无法得到InN

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