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对AlGaN/GaN HFET纵向的常规结构、倒置结构和双异质结进行了研究,结果表明:常规结构的材料生长简单、容易控制,倒置结构的直流性能低于常规结构,而双异质结虽然在材料生长方面较为复杂,但它可以获得较常规结构更为优良的直流特性.
三种纵向结构的AlGaN/GaN HFET性能比较
【摘 要】
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对AlGaN/GaN HFET纵向的常规结构、倒置结构和双异质结进行了研究,结果表明:常规结构的材料生长简单、容易控制,倒置结构的直流性能低于常规结构,而双异质结虽然在材料生长方
【机 构】
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北京工业大学电子信息与控制工程学院,中国电子科技集团公司第十三研究所
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2004年期
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