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用等离子体增强化学气－相沉积（ＰＥＣＶＤ）方法，以ＣＨ４和ＳｉＨ４为反应气体，在低电极温度（１８０℃）条件下制备了碳化硅薄膜。实验结果表明，低电极温度下沉积参数（反应气体流量比、反应气体压力、射频功率的变化对薄膜的沉积和性质影响较大。制得的薄均匀性良好，其化学组成Ｓｉ／Ｃ在０．７２－４．０之间，具有（５－９）×１０＾９ｄｙｎ／ｃｍ＾２的压应力。红外光谱结果证明，随着薄膜化学成分的变化，薄膜的结构也