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从晶格匹配及能带阶跃角度讨论了设计一个n沟Si/Si1xGexHEMT异质结层的原理及方法,对K.Ismail器件进行了分析和计算,所得2DEG的ns与实验结果基本相符,并利用该设计理论对K.Ismail器件的异质结结构进行了优化改进,提高了器件2DEG的ns.
Si／Si1—xGexHEMT异质结层的结构与二维电子气密度的关系
【摘 要】
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从晶格匹配及能带阶跃角度讨论了设计一个n沟Si/Si1xGexHEMT异质结层的原理及方法,对K.Ismail器件进行了分析和计算,所得2DEG的ns与实验结果基本相符,并利用该设计理论对K.Is
【机 构】
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西安电子科技大学技术物理学院
【出 处】
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半导体情报
【发表日期】
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2001年2期
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