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用400keV能量的铒离子垂直注入晶体硅（Si）样品中。利用卢瑟福背散射技术研究了能量为400keV、剂量为5×10^15ions／cm^2的铒离子注入Si晶体的平均投影射程、射程离散和深度分布。测出的实验值和TRIM＇98得到的理论模拟值进行了比较，发现实验值跟TRIM＇98模拟计算的理论值符合较好。