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利用分子束外延（ＭＢＥ）对ＧａＡｌＡｓ和ＧａＡｓ的选择性热蚀特性进行光栅上的二次外延生长，既能获得清洁的外延界面，又能精确控制光栅的形状，采用这种方法，我们在国际上首次成功地制作了完全ＭＢＥ生长的内含吸收光栅的ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ多量子阱增益耦合型分布反馈式（ＤＦＢ）半导体激光器，并实现了激光器在室温下的脉冲激射，器件表现出了ＤＦＢ模式的单模工作特性。