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本文报道了用改进了的静态升华法生长大尺寸优质HgI2单晶,并对晶体的完整性进行了观测,测量了晶体的透过率和光电特性.实验结果表明,采用这种方法生长HgI2单晶,设备简单,便于控制成核和生长条件,有利于获得低位错密度大单晶体,是一种行之有效的方法.更多还原
用静态升华法生长HgI2大单晶体及其性质的观测
【摘 要】
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本文报道了用改进了的静态升华法生长大尺寸优质HgI2单晶,并对晶体的完整性进行了观测,测量了晶体的透过率和光电特性.实验结果表明,采用这种方法生长HgI2单晶,设备简单,便于
【机 构】
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四川大学材料科学系,四川大学材料科学系成都610064,成都610064,成都610064
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1992年3期
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