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用匀胶机通过溶液铸膜方法在硅片和铝箔基板上分别制备具有不同厚度的聚（ε-己内酯）（PCL）薄膜．通过原子力显微镜（AFM）和偏光衰减全反射傅里叶红外光谱（ATR-FTIR）对薄膜中PCL的结晶形貌、片晶生长方式及分子链取向进行了研究．AFM结果表明，在200nm或更厚的薄膜中，PCL主要以侧立（edge-on）片晶的方式生长；对于厚度小于200nm的薄膜，PCL片晶更倾向于以平躺（flat-on）的方式生长．这种片晶生长方式的改变在硅片和铝箔基板上都表现出同样的倾向．此外，在15nm或更薄的薄膜中，PCL