【摘 要】
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基于ISE TCAD模拟软件对RF LDMOS器件的工艺流程和器件结构进行了优化设计,采用带栅极金属总线的版图结构降低栅电阻,同时简化了LDMOS器件的封装设计。通过实际流片和测试分
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基于ISE TCAD模拟软件对RF LDMOS器件的工艺流程和器件结构进行了优化设计,采用带栅极金属总线的版图结构降低栅电阻,同时简化了LDMOS器件的封装设计。通过实际流片和测试分析,重点讨论了漂移区注入剂量和漂移区长度对LDMOS器件的转移特性、击穿特性、截止频率及最大振荡频率的影响。测试结果表明该器件的阈值电压为1.8 V,击穿电压可达70 V,截止频率和最大振荡频率分别为9 GHz和12.6 GHz,并可提供0.7 W/mm的输出功率密度。
Based on ISE TCAD simulation software, the design process and device structure of RF LDMOS device are optimized. The layout structure with gate metal bus is adopted to reduce the gate resistance and simplify the package design of LDMOS device. The effects of the implantation dose and drift region length on the transfer characteristics, breakdown characteristics, cut-off frequency and maximum oscillation frequency of LDMOS devices are mainly discussed through the actual flow and test analysis. The test results show that the device has a threshold voltage of 1.8 V, a breakdown voltage of 70 V, a cutoff frequency and a maximum oscillation frequency of 9 GHz and 12.6 GHz, respectively, and provides an output power density of 0.7 W / mm.
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