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报道了一种从非晶硅薄膜中生长纳米硅晶粒的方法。含氢非晶硅薄膜经过快速热退火处理后,用拉曼散射和X射线衍射技术对样品进行分析。实验结果表明:纳米硅晶粒不但能在非晶硅薄膜中形成,而且所形成的纳米硅晶粒的大小随着热退火过程中升温快慢而变化。在升温过程中,若单位时间内温度变化量较大(-100℃/s),则所形成纳米硅粒较小(1.6-15nm); 若单位时间内温度变化量较低(-1℃/s),则纳米硅粒较大(23-46nm)。根据晶体生长理论和计算机模拟,讨论了升温快慢与所形成的纳米硅颗粒大小的关系。