纳米硅晶粒相关论文
利用硅-SiO复合靶,RF磁控溅射技术制备了三种富硅不同的SiO薄膜,并在较大的温度范围内进行了退火.利用X射线光电子能谱,对刚淀积的......
Yoshida等人提出的惯性流体模型只能解释脉冲激光烧蚀制备纳米硅晶粒平均尺寸随环境气压的变化规律.在此模型基础上,考虑到烧蚀粒......
在室温条件下保持Ar环境气体压强不变,采用脉冲激光沉积（PLD）技术,通过改变激光能量密度,在与烧蚀羽辉轴线垂直放置的衬底上沉积了一......
为了制备纳米硅薄膜,采用脉冲激光沉积系统,保持靶材和衬底间距不变,在不同激光能量条件下,得到一系列纳米Si薄膜。利用喇曼散射光......
采用脉冲激光烧蚀技术，在引入垂直于烧蚀羽辉轴线外加直流电场的前后，分别在1，3，5Pa的室温氩气环境下沉积制备了一系列纳米硅晶薄膜，其......
非单晶氢基薄膜材料，经高温退火及高温氧化可制备纳米尺寸的晶粒，室温下发出可见光，发光强度强烈信赖于晶粒大小和结晶体在网络中的体......
为了研究混合环境气体配比对脉冲激光烧蚀制备纳米硅（Si）晶粒角度分布的影响,采用XeCl准分子激光器,烧蚀高阻抗单晶Si靶,改变混合环......
利用等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)生长的系列掺硼氢化纳米硅 (nc- Si:H)薄膜中纳 米硅晶粒( nanocrystalline silicon,简称 n......
发现PECVD生长的系列掺杂氢化纳米硅(nc-Si:H)薄膜中纳米硅晶粒(nc-Si)有择优生长的趋势.用Raman、XRD、AFM、HRTEM等方法研究其微......
报道了一种从非晶硅薄膜中生长纳米硅晶粒的方法。含氢非晶硅薄膜经过快速热退火处理后，用拉曼散射和X射线衍射技术对样品进行分析......
本文采用脉冲激光烧蚀技术，结合流体动力学模型和成核区模型，实验研究了环境气压和平行挡板对烧蚀粒子与环境气体原子碰撞、成核、传......
