gaAs MESFET直流解析模型

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户:fanrongcheng
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根据FET沟道区电场分布的特点,用电子速场特性的分段近似提出了一种新的GaAs MESFET直流解析模型。本文提出的模型可用以计算高夹断电压和低夹断电压GaAs MESFET的直流特性,比完全速度饱和模型及平方律模型更为精确。
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