非晶碳膜相关论文
为了研究出一种静电防护性能良好,能量输出大,工艺简单的火工品,本文设计制作了一种以非晶碳膜作为换能元材料的电火工品,并对其点......
在大数据时代,冯·诺依曼瓶颈已严重限制了计算机的高效处理能力,而人脑具备高效、低功耗和处理复杂问题的优势,同时其功能的完成......
对利用直流磁控溅射技术在单晶硅表面制备的非晶碳膜进行了Cr离子注入,通过拉曼光谱、X射线光电子能谱和原子力显微镜对其结构和形......
本文采用热丝化学气相沉积的方法,以乙炔和氢气作为气态源,在石英衬底的表面制备非晶碳膜,研究了不同衬底温度(450~850℃)和冷却方......
超高分子量聚乙烯(UHMWPE)磨屑在人体内能够引起组织反应和骨溶解,被认为是人工关节失效的主要原因.利用非晶碳膜所具备的高硬度、......
用微波等离子体化学气相沉积设备,在陶瓷/金属钼薄膜衬底上沉积出了氮掺杂非品碳膜,分别用扫描电子显微镜(SEM),金相显微镜及Raman谱对......
目的提升9Cr18不锈钢表面的耐磨损性能。方法在不同氩气流量条件下,采用激光引弧磁过滤阴极电弧离子镀制备非晶碳膜。利用拉曼光谱......
非晶碳膜具有一系列优异的性能,如高的硬度、低的摩擦系数、优异的耐腐蚀性、良好的生物相容性和绝缘性以及较宽的禁带宽度,在机械......
随着日渐提高的机械装置高精密、长寿命和安全服役要求,运动副的摩擦磨损成为制约其发展的瓶颈之一。为了解决上述问题,越来越多的......
薄膜材料一直是材料研究中的热点。与体材料不同,薄膜材料的检测需要应用到表面分析技术。X射线光电子能谱(XPS)在分析薄膜化学组分......
离子辅助轰击能有效改善非晶碳膜(a-C)的质量.用脉冲激光(532nm,3.5×10W/cm烧蚀石墨靶,同时用Ar轰击膜面,在Si(100)衬底上沉积a-C......
采用磁过滤真空弧等离子弧沉积技术,在碳纳米管薄膜表面生长了一层非晶碳膜。用扫描电镜(SEM)分析了镀膜前后碳纳米管薄膜表面形貌的......
用微波等离子体化学气相沉积设备,在陶瓷/金属钼薄膜衬底上沉积出了氮掺杂非品碳膜,分别用扫描电子显微镜(SEM),金相显微镜及Raman谱对......
该文利用射频等离子体增强化学气相沉积、脉冲多弧离子镀和脉冲激光沉积等方法在钛合金和单晶硅基体表面沉积了含氢非晶碳、含氢含......
通过向Cr-GLC薄膜工作层引入迟滞氧化型组元掺杂,所获C-Cr-X膜因X相(X=强氧化物形成元素Al、Si或碳化物形成元素Mo、W)对C、O扩散结......
本文利用磁控溅射的方法在Si(100)基片上成功沉积了非晶碳膜( a-C ),并对其电输运特性、气压敏感性和气体敏感性进行了较为详细的......
论文利用磁控溅射的方法在n-Si(100)基片上成功沉积了钯掺杂的非晶碳薄膜(a-C:Pd),对其光敏特性(光伏特性、光电导特性和光诱导电......
类石墨型非晶碳膜的热稳定性差限制了其使用范围。本文提出在非晶碳膜工作层中同时掺入强碳化物形成元素和强氧化物形成元素,制备......
本文提出采用磁控溅射的方法,制备出一批厚度大致相同、低含量掺杂且含量渐次增大的二元复合薄膜,通过对薄膜的成分、微观结构及力......
木论文利用直流磁控溅射的方法在硅基片上沉积非晶碳膜,从而形成非晶碳膜/硅(a-C/Si)异质结材料,再在a-C/Si异质结表面沉积金属钯......
超高分子量聚乙烯(UHMWPE)凭借其优异的化学稳定性、耐冲击性、耐摩擦磨损性能和良好的生物相容性得到了广泛的应用,是常用的临床人工......
离子束混合技术可在低温下通过非平衡态键合作用实现薄膜与基底界面间的原子级混合,甚至可在无相互反应和互不相容的物质之间也能......
以n型 ( 10 0 )Si为衬底 ,用CH4 和H2 作反应气体 ,在 150℃的衬底温度下淀积了非晶碳平面薄膜 .SEM照片和AFM均显示该薄膜具有很......
利用完全抑制网络结构(FCN)模拟计算氢化非晶碳(a-C:H)膜的组成.形成致密 a-C:H膜的条件是 H、sp2C和sp3C应在其三元相图中的一个三角形区域内.实验数据表明,模拟......
用电子回旋共振等离子体化学气相沉积 (ECR CVD)方法在不同基片温度下从苯制得了含氢非晶碳膜 (α C :H) ,对样品进行了伏安特性测......
在室温下 ,用激光烧蚀石墨靶方法在单晶硅衬底表面沉积了不同厚度的非晶碳膜。对膜进行了表面形貌观察 ,测试并分析了膜的拉曼散射......
采用脉冲激光沉积法在n-Si(100)衬底上制备氧化铝膜(Al2O3)和不同温度下的铁掺杂非晶碳薄膜(a-C∶Fe)。I-V特性曲线表明:制备的a-C......
以阴极电弧法,分别于硅基材与铜纳米线(CuNWs)/硅基材(其中铜纳米线系阳极氧化铝(AAO)模板技术成长于硅基材上)沉积非晶碳膜,,分别......
利用Raman和XPS研究N离子注入前后非晶碳膜化学键合的变化及CN成键情况.结果表明,被注入到非晶碳膜内的N与C原子结合,形成sp3 C--N......
本文介绍了用微波CVD技术沉积金刚石薄膜的设备和工艺条件,同时对金刚石薄膜的场致发射进行了初步研究,发现了一种较适于场致发射的薄膜......
用射频等离子体化学沉积方法制备氢化非晶碳(a-C:H)膜。在等离子体气氛中引入胺基团,则能够在a-C:H薄膜沉积过程中将胺基团掺入薄膜的......
采用微波等离子体化学气相沉积系统在陶瓷衬底上制备了具有sp^2键价结构的纳米非晶碳膜。用Raman谱、XPS谱、SEM和XRD等手段分析了......
用苯作工作气体。在一个电子回旋共振(ECR)微波等离子体化学气相沉积系统中制备了含氢非晶碳膜(a-C:H).对苯等离子体作了质谱分析,发现苯分解后形......
采用离子轰击辅助电子束蒸发技术制备了含有纳米石墨结构的碳膜。利用XRD、Ralnan和AFM等方法分析了碳膜的厚度、结构、相成分和形......
Diamond like carbon films have been successfully deposited on the steel substrate, by using a single ion gun with varyin......
用电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR-CVD)方法在不同基片温度下从苯制得了含氢非晶碳膜(a-C:H),对样品进行了伏安特性测试,考察了基片温度对电阻......
用微波等离子体化学气相沉积设备、在陶瓷/金属钼薄膜衬底上沉积出了氮掺杂非晶碳膜,分别用扫描电子显微镜(SEM),金相显微镜及Rama......
利用Raman和XPS研究N离子注入前后非晶碳膜化学键合的变化及CN成键情况.结果表明,被注入到非晶碳膜内的N与C原子结合,形成sp3 C--N......
采用等离子体注入沉积方法(PⅢ-D),混合通入C2H2、Ar或N2,制备了具有不同表面润湿性的非晶碳薄膜a-C:H和掺N非晶碳薄膜a-C:N:H.采......
离子辅助轰击能有效改善非晶碳(a-C)膜的质量.用脉冲激光(532 nm, 3.5×108 W/c m2)烧蚀石墨靶,同时用Ar+轰击膜面,在Si(100)......
类金刚石膜在磁盘和读写磁头之上形成一层关键的保护膜.磁存储密度的飞速发展可以使存储密度上限达到1万亿字节/英寸2.这要求读写......
在单晶Si(100)基体上,采用闭合场非平衡磁控溅射方法沉积制备了导电非晶碳膜。X射线衍射(XRD)分析表明薄膜呈明显的非晶结构;用XPS分析了......
本文报导了使用PECVD方法沉积的α-C:H溥膜的工艺条件、薄膜结构和物性之间的联系。指出,α-C:H膜中石墨和金刚石成分的比值密切相......
采用非平衡磁控溅射离子镀技术在不同衬底偏压下沉积了掺铬类石墨非晶碳膜,研究了衬底偏压对其显微组织、硬度、内应力、结合强度......