【摘 要】
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介绍了一种硅通孔中阻挡层和种子层制备的新型工艺方法。利用磁控溅射的方法在SiO2上沉积1μm的Ti膜。表层的Ti膜湿法氧化后作为种子层,底层Ti膜作为阻挡层。填充材料选择Cu,
【机 构】
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上海交通大学微纳科学与技术研究院微米／纳米加工技术重点实验室
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介绍了一种硅通孔中阻挡层和种子层制备的新型工艺方法。利用磁控溅射的方法在SiO2上沉积1μm的Ti膜。表层的Ti膜湿法氧化后作为种子层,底层Ti膜作为阻挡层。填充材料选择Cu,利用电镀的方法填充。利用热退火的方法来测试Cu的扩散性能,即Ti膜的阻挡特性,热退火试验选择350,400,450℃三种不同的温度。XPS结果表明：在400℃及以下温度阻挡层成功阻挡了Cu的扩散。目前已在硅通孔中初步实现此种结构并完成通孔中Cu的填充。
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