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晶体的质量是其元器件制备的关键之一，蚀坑密度（EPD）的观测是检验晶体质量的一个重要方法．用改进的Bridgman法长长出AgGa2-xInxSe2（x=0．2）单晶，通过化学腐蚀和金相显微镜研究了（101）晶面蚀坑的形貌、分布特征及其密度的大小．结果表明：采用HNO3：HCl=1：2．5的配方，在室温下腐蚀5min，获得了较好的梯形蚀坑．发现晶体的缺陷主要是位错，并初步讨论了蚀坑的成因及其克服的措施，为高质量晶体元件的制备奠定了基础．