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本文采用离散谱折射率法对光功分器的输入、输出单模光波导进行优化设计，通过干法刻蚀技术，制作了一种能直接与单模光纤阵列相耦合的1×8MMI型GaAs光功分器。最后用1．55μm波长的DFB激光测试发现，该器件基本实现了功率均分要求，功率离散度为0．156dB。
用于光通信的1＊8MMI型GaAs光功分器的研制
【摘 要】
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本文采用离散谱折射率法对光功分器的输入、输出单模光波导进行优化设计，通过干法刻蚀技术，制作了一种能直接与单模光纤阵列相耦合的1×8MMI型GaAs光功分器。最后用1．55μm
【机 构】
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浙江大学信息学院信电系光电子研究所
【出 处】
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光子学报
【发表日期】
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2000年Z01期
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