【摘 要】
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利用Gleeble热模拟以及电子背散射衍射(EBSD)技术,研究了高强管线钢焊接临界再热粗晶区(ICCGHAZ)中逆转奥氏体(γr)在不同第二道次峰值温度(760、800和840℃)下的逆相变规律及其晶体学关系.结果表明,在3个峰值温度下形成的γr体积分数依次为4.1％、8.9％和25.2％,γr优先在第一道次粗晶区的原奥氏体晶界(PAGB)处形核,其次是原奥氏体晶粒(γp)内板条束(block)的交界处.在极快的焊接加热速率下,γr倾向于以块状形式长大.晶体学研究表明,γr在PAGB处的逆相变不是自由形
【机 构】
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中国石油大学(华东) 材料科学与工程学院 青岛 266580
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利用Gleeble热模拟以及电子背散射衍射(EBSD)技术,研究了高强管线钢焊接临界再热粗晶区(ICCGHAZ)中逆转奥氏体(γr)在不同第二道次峰值温度(760、800和840℃)下的逆相变规律及其晶体学关系.结果表明,在3个峰值温度下形成的γr体积分数依次为4.1％、8.9％和25.2％,γr优先在第一道次粗晶区的原奥氏体晶界(PAGB)处形核,其次是原奥氏体晶粒(γp)内板条束(block)的交界处.在极快的焊接加热速率下,γr倾向于以块状形式长大.晶体学研究表明,γr在PAGB处的逆相变不是自由形核,而是依托于PAGB一侧γp的晶体学取向按照近似K-S关系通过逆相变而形成,而与另一侧的γp没有确定的晶体学关系.第二道次峰值温度较低(760℃)时,γr在PAGB处形核后向非K-S关系一侧的晶粒内部长大,γr呈链状分布于PAGB处.随峰值温度的升高(800和840℃),γr向PAGB两侧同时生长.分析表明,γr在第二道次加热过程中的逆相变行为对其在后续冷却过程中的相变过程、终态组织及其韧性等有重要影响.
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