论文部分内容阅读
通过对MBE工艺中影响GaAs和AlxGaAs材料质量的生长关键工艺实验研究,优化了MBE生长AlxGa1-xAs/GaAs调制掺杂结构工艺.用GEN-ⅡMBE设备生长AlxGa1-xAs/GaAs调制掺杂结构材料,得到了高质量的AlxGa1-xAs/GaAs调制掺杂结构材料.用范德堡法研究材料特性,得到材料参数的典型值:二维电子气浓度在室温时为5.6×1011 cm-2,电子迁移率为6000 cm2/V@s;在77 K低温时浓度达3.5×1011cm-2,电子迁移率为1.43