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用提拉法生长了质量较高的Ａｌ：Ｂｉ１２ＳｉＯ２０和Ｃｒ：Ｂｉ１２ＳｉＯ２０晶体，测定了掺杂ＢＳＯ晶体的吸收光谱。首次发现：Ａｌ：ＢＳＯ（摩尔比）为０．１％的晶体的透过率（８０％）远高于纯ＢＳＯ晶体的透射率（７０％）；Ｃｒ：ＢＳＯ晶体中除Ｃｒ＾３＋外，还存在少量Ｃｒ＾４＋。
掺杂硅酸铋晶体的生长及吸收光谱的研究
【摘 要】
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用提拉法生长了质量较高的Ａｌ：Ｂｉ１２ＳｉＯ２０和Ｃｒ：Ｂｉ１２ＳｉＯ２０晶体，测定了掺杂ＢＳＯ晶体的吸收光谱。首次发现：Ａｌ：ＢＳＯ（摩尔比）为０．１％的晶体的透过率（８０％）远高于纯ＢＳＯ晶体的透射率（７０％）；Ｃｒ：ＢＳＯ晶体中除Ｃｒ＾３＋外，还存在少量Ｃｒ＾４＋。
【机 构】
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哈尔滨工业大学应用化学系,黑龙江农垦师范专科学校化学系
【出 处】
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压电与声光
【发表日期】
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1997年3期
【基金项目】
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航天基金
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