Research on fabrication and properties of nanoporous GaN epilayers

来源 :稀有金属：英文版 | 被引量 : 0次 | 上传用户：mercurian88

【摘要】

：

Gallium nitride (GaN) epilayers with nanopore arrays were fabricated by inductive coupled plasma (ICP) etching using anodic aluminum oxide (AAO) as mask.Nanopor

【作者】

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WANG Xiaolong YU Guanghui WANG

【机构】

：

StateKeyLaboratoryofFunctionalMaterialsforInformatics,GraduateSchoolofChineseAcademyofSciences,Gradu

【出处】

：

稀有金属：英文版

【发表日期】

：

2006年z2期

【关键词】

：

NANOPOROUS GAN ICP ETCHING nanoporous GaN ICP etching

【基金项目】

：

This work was financially supported by the National High Technology Research and Development Program of China (No.2001AA311100 and 2002AA305304) and the CNRS/ASC 2005: N project 18152 and the National

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Gallium nitride (GaN) epilayers with nanopore arrays were fabricated by inductive coupled plasma (ICP) etching using anodic aluminum oxide (AAO) as mask.Nanoporous AAO templates were formed by anodizing the Al films deposited on GaN epilayers.The diameter

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