基于自动温控光谱测试系统的深紫外LED光电特性研究

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为研究温度对AlGaN基274nm深紫外LED光电参数的影响.基于自动温控深紫外光谱分析测量系统的测试结果表明,在25~100℃范围内该深紫外LED的工作电压和基板温度呈负线性关系,温度系数约为-8.79mV/℃,较大的温度系数可能来源于深紫外LED中p-AlGaN较低的掺杂浓度.通过瞬态和稳态工作电压测试及结合温度系数,计算得到深紫外LED样品的热阻为20.8℃/W,该热阻对应芯片PN结到管壳引脚之间的导热通道.随温度升高,该深紫外LED峰值波长的稳定性和单色性较好.该深紫外LED辐射光谱由UVA、UV
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