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氮杂质在微氮直拉硅单晶中引入了不同于热施主(TD)和新施主(TND)的氮关施主(NRD)(nitrogen-related donor)其形成于500-900℃,600℃左右最为活跃,短时间热处理时,NRD的形成与消除具有回复性,并与氮一氮对的可逆变化--对应,随热处理时间的延长,可逆行为逐渐消失,硅中的氮最终固化于稳定的微沉淀态。