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<正> 1 引言在目前的VLSI生产中,图形的复印手段仍是以紫外(UV)光刻系统为主。随着准分子步进光刻的研制成功,可使光学光刻的分辨率达到0.5μm以下,因此,VLSI的器件特征尺寸可再缩小,集成密度可进一步提高。与此同
用MoSi薄膜制作高性能VLSI光掩模
【摘 要】
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<正> 1 引言在目前的VLSI生产中,图形的复印手段仍是以紫外(UV)光刻系统为主。随着准分子步进光刻的研制成功,可使光学光刻的分辨率达到0.5μm以下,因此,VLSI的器件特征尺寸
【出 处】
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半导体情报
【发表日期】
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1992年5期
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