插指型SiO2电流阻挡层对大功率LED外量子效率的影响

来源 :发光学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:ASky2009
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为了改善蓝光大功率LED芯片p电极处的电流拥挤现象,提高大功率LED芯片的外量子效率,在ITO透明导电层与p-GaN间沉积插指型SiO2电流阻挡层。采用等离子体增强化学气相沉积的方法沉积SiO2薄膜,再经过光刻和BOE湿法刻蚀技术制备插指型SiO2电流阻挡层。采用SimuLED仿真软件分析插指型SiO2电流阻挡层对大功率LED芯片电流扩展性能的影响,研究插指型SiO2电流阻挡层对大功率LED芯片外量子效率的影响。结果发现,插指型SiO2电流阻挡层结构可以有效改善p电极附近的电流拥挤现象。与没有沉积插指型S
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