电流拥挤相关论文
采用原位SEM观察、FIB微区分析和有限元(FE)模拟研究了非对称结构Cu/Sn-58Bi/Cu微焊点中电迁移引起的组织演变及其损伤。结果表明,......
GaN基白光LED作为新一代的全固态发光器件，具有节能、环保、寿命长、显色性好、响应速度快等一系列优势，是近年来最具有发展前景的高......
本文以加速寿命试验和失效分析为主要研究手段，对GaN LEDs器件退化机理进行了比较深入的研究，并对一些关键工艺提出了改进措施。主要......
文中报道了绝缘蓝宝石衬底上的GaN基发光二极管（LEDs）中，由于横向电阻的存在造成了靠近n型电极台面边缘局部区域电流拥挤，为此从焦耳热......
为了改善蓝光大功率LED芯片p电极处的电流拥挤现象,提高大功率LED芯片的外量子效率,在ITO透明导电层与p-GaN间沉积插指型SiO2电流......
采用原位SEM观察、FIB微区分析和有限元（FE）模拟研究了非对称结构Cu/Sn-58Bi/Cu微焊点中电迁移引起的组织演变及其损伤.结果表明,非......
提出了一种新的测试结构（S结构），通过实验、理论推导和有限元分析，研究了铜与TaN扩散阻挡层界面的电流拥挤效应对电迁移致质量输运特性......
大功率低成本的功率型LED芯片是固态照明技术未来发展的核心,然而诸如电流拥挤、efficiency droop效应、芯片的热效应等技术难题一......
半导体芯片的可靠性是学术界和芯片制造业的重要课题，而电迁移问题是其中最重要和最持久的挑战之一。由于超深亚微米(0.18-0.15μm)......
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对不同大功率LED芯片进行单次脉冲浪涌冲击,对比不同大功率LED芯片在相同浪涌波形下的抗过电应力能力.实验共测试5款LED产品,发现......
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