【摘 要】
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大规模集成电路的发展使集成度不断提高,器件尺寸减小,线条变窄。现常用的多晶硅栅和互连,由于电阻率高,限制了集成电路的速度。近年发展起来的硅化物材料,因其电阻率低、稳
【机 构】
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北京师范大学低能核物理研究所,北京师范大学低能核物理研究所,北京师范大学低能核物理研究所,北京师范大学低能核物理研究所,北京师范大学低能核物理研究所
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大规模集成电路的发展使集成度不断提高,器件尺寸减小,线条变窄。现常用的多晶硅栅和互连,由于电阻率高,限制了集成电路的速度。近年发展起来的硅化物材料,因其电阻率低、稳定性好、自对准性能好而常被用作大规模集成电路中的欧姆接触,互连和肖特基势垒。
The development of large-scale integrated circuits to continuously improve the integration, device size reduction, line narrowing. Now commonly used polysilicon gate and interconnection, due to high resistivity, limiting the speed of the integrated circuit. Silicide materials developed in recent years are often used as ohmic contacts, interconnects and Schottky barriers in large scale integrated circuits due to their low resistivity, good stability and good self-alignment.
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